Již více než 40 let se společnost Sil’tronix Silicon Technologies zaměřuje na výrobu monokrystalických křemíkových destiček. Celý výrobní proces řídíme dosažením kompletní výroby ve vlastním závodě. Výroba probíhá kompletně interně od procesu vytahování ingotu až po poslední krok, kterým je proces čištění. Tento výrobní postup umožňuje udržet spolehlivou a kvalitativní konzistenci.
Hlavním zdrojem motivace společnosti je poskytovat nejvhodnější křemíkové destičky s ohledem na požadavky zákazníků. To je důvod, proč vyrábíme výrobky na zakázku s ohledem na individuální specifikace (velikost, odříznutí, přesný odpor… ).
Vyrábíme jakékoli průměry od 1“ (25,4 mm) do 6“ (152,4 mm), abychom zajistili co největší flexibilitu. S cílem poskytnout co největší rozsah specifikací pracujeme s křemíkovými plátky Cz (Czochralski) nebo FZ (Float Zone). Kromě toho se za účelem výroby kvalitních výrobků používá čistá křemíková (9N) surovina.
Pro splnění nebo překročení norem SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International) se provádí také interní leštění.
S cílem poskytovat více služeb a ještě rychleji reagovat na vaše požadavky udržujeme velké zásoby Cz, FZ, destiček s nízkým počtem defektů, ultraplochých a ultratenkých destiček.
- SILICON WAFER SPECIFICATION
- SIL’tronix Silicon Technologies poskytuje tepelně suché vrstvy SiO2 od 15 nm do 300 nm zcela interně vyrobené. Na vyžádání jsou k dispozici i větší tloušťky. Poskytovaná kvalita umožňuje použití tenké vrstvy pro účely grafenu.
- Tenká vrstva nitridu křemíku si3n4
- DESPOZICE TENKÝCH PLOCH A METALIZACE NA KŘEMÍKOVÉ PLOCHY
- DOWNSIZING – OBRÁBĚNÍ HRANY
SILICON WAFER SPECIFICATION
Vyrábíme vlastní křemíkové destičky od 1 palce do 6 palců s ohledem na vaše individuální technické specifikace. Odpovídáme na nejsložitější požadavky výrobou destiček na míru, přičemž respektujeme každé potřeby, stejně jako: průměr, typ & dopantu, rezistivitu, orientaci, tloušťku atd…
Přečtěte si více o specifikacích křemíkových destiček
SIL’tronix Silicon Technologies poskytuje tepelně suché vrstvy SiO2 od 15 nm do 300 nm zcela interně vyrobené. Na vyžádání jsou k dispozici i větší tloušťky. Poskytovaná kvalita umožňuje použití tenké vrstvy pro účely grafenu.
Přečtěte si více o specifikacích tenké vrstvy SiO2
Tenká vrstva nitridu křemíku si3n4
Sil’tronix ST poskytuje vrstvy nitridu křemíku od 100 nm do 500 nm, na vrchní straně jakýchkoli destiček. V závislosti na individuální specifikaci se používají procesy LPCVD nebo Low stress (Ultra-low stress).
Přečtěte si více o specifikacích nitridu křemíku
DESPOZICE TENKÝCH PLOCH A METALIZACE NA KŘEMÍKOVÉ PLOCHY
Oxidace, nitridace a pokovování jsou k dispozici na stejné křemíkové destičce. Na vyžádání jsou k dispozici různé další vrstvy pro jednu nebo dvě strany. Máme možnosti přidávat různé vrstvy na různé strany téhož waferu.
Přečtěte si více o specifikacích přídavných vrstev
DOWNSIZING – OBRÁBĚNÍ HRANY
Vzhledem k velkému rozsahu témat poskytujeme službu downisize vašich vlastních waferů (křemíkových, SOI, …) tak, aby odpovídaly vašim potřebám a dodávaly požadovanou velikost pro úspěch v rámci vašich témat. Bez ohledu na tvar jsme schopni zajistit jakýkoli druh forem.
S cílem zajistit stejnou úroveň kvality jako u nové destičky dodržujeme přísný postup:
- Zmenšení velikosti laserovým řezáním (tj.: 6″ -> 3×2″)
- Kruhové, ploché, broušení hran
- Specifický profil hran: řezání pod úhlem 45°
Přečtěte si více o zmenšení
.