I mere end 40 år har Sil’tronix Silicon Technologies haft til formål at fremstille monokrystallinsk siliciumwafer. Vi styrer hele fremstillingsprocessen ved at opnå den fuldstændige produktion inden for vores egen fabrik. Fremstillingen er helt foretaget internt fra trækprocessen for at få barren op til det sidste trin, som er rengøringsprocessen. Dette produktionsflow gør det muligt at opretholde en pålidelig og kvalitativ konsistens.
Den vigtigste kilde til motivation for virksomheden er at levere de mest velegnede siliciumwafers i forhold til kundens krav. Det er grunden til, at vi fremstiller produkterne efter anmodning med hensyn til individuelle specifikationer (størrelse, off cut, nøjagtig resistivitet … ).
Vi producerer alle diametre fra 1” (25,4 mm) til 6” (152,4 mm) for at give den størst mulige fleksibilitet. Med det formål at levere det største udvalg af specifikationer arbejder vi enten Cz (Czochralski) eller FZ (Float Zone) siliciumskiver. For at fremstille kvalitative produkter anvendes desuden rent silicium (9N) råmateriale.
Poleringsprocessen foretages også internt for at opfylde eller overgå de internationale standarder for Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI).
Med henblik på at yde flere tjenester og svare på dine krav endnu hurtigere, opretholder vi et stort lager af Cz, FZ, lav defekt, ultra-flade og ultra-tynde wafers.
SILICON WAFER SPECIFIKATION
Vi fremstiller dine egne siliciumwafers fra 1 tomme til 6 tommer vedrørende dine individuelle tekniske specifikationer. Vi besvarer de mest komplekse forespørgsler ved at fremstille skræddersyede wafers, idet vi respekterer hvert behov såvel som: diameter, type & doteringsstof, resistivitet, orientering, tykkelse osv…
Læs mere om specifikationer for siliciumwafer
SILICON OXID WAFER sIo2 tynd film
Sil’tronix Silicon Technologies leverer termiske tørre SiO2 lag fra 15 nm op til 300 nm helt internt fremstillet. Større tykkelser er også tilgængelige på forespørgsel. Den leverede kvalitet gør det muligt at bruge det tynde lag til grafenformål.
Læs mere om SiO2-tyndfilmspecifikationer
SILICON nitridwafer si3n4 tyndfilm
Sil’tronix ST leverer siliciumnitridlag fra 100 nm op til 500 nm, oven på alle wafers. Der anvendes LPCVD- eller Low stress (Ultra-low stress)-processer afhængigt af den enkelte specifikation.
Læs mere om siliciumnitridspecifikationer
Tyndfilmudfældning og metallisering på siliciumwafer
Oxidering, nitridering og metalbelægning er tilgængelige på den samme siliciumwafer. Forskellige ekstra lag kan fås på anmodning for en eller to sider. Vi har mulighed for at tilføje forskellige lag på forskellige sider af samme wafer.
Læs mere om specifikationer for yderligere lag
DOWNSIZING – EDGE GRINDING
På grund af et stort udvalg af emner tilbyder vi service til at downisize dine egne wafers (silicium, SOI, …) for at matche dine behov og levere den ønskede størrelse for at lykkes inden for dine emner. Uanset formen er vi i stand til at levere enhver form for former.
Med det formål at levere samme kvalitetsniveau som en ny wafer, følger vi en streng proces:
- Downsizing ved laserskæring (dvs.: 6″ -> 3×2″)
- Rund, flad, kant slibning
- Specifik kantprofil: skæring 45° vinkel
Læs mere om downsizing