Seit mehr als 40 Jahren ist Sil’tronix Silicon Technologies auf die Herstellung monokristalliner Silizium-Wafer spezialisiert. Wir verwalten den gesamten Herstellungsprozess durch die Erzielung der vollständigen Produktion innerhalb unserer eigenen Fabrik. Die Herstellung erfolgt vollständig intern, vom Ziehen des Barrens bis hin zum letzten Schritt, dem Reinigungsprozess. Dieser Produktionsablauf ermöglicht es, eine zuverlässige und qualitative Konsistenz aufrechtzuerhalten.
Die Hauptmotivation des Unternehmens ist es, die am besten geeigneten Silizium-Wafer für die Anforderungen der Kunden zu liefern. Das ist der Grund, warum wir die Produkte auf Anfrage nach individuellen Spezifikationen (Größe, Zuschnitt, genauer Widerstand…) herstellen.
Wir produzieren alle Durchmesser von 1“ (25,4 mm) bis 6“ (152,4 mm), um die größtmögliche Flexibilität zu bieten. Um eine möglichst große Bandbreite an Spezifikationen anbieten zu können, arbeiten wir entweder mit Cz (Czochralski) oder FZ (Float Zone) Silizium-Wafern. Um qualitativ hochwertige Produkte herzustellen, wird außerdem reines Silizium (9N) als Rohmaterial verwendet.
Der Polierprozess wird ebenfalls intern durchgeführt, um die Semiconductor Equipment and Materials International Standards (SEMI) zu erfüllen oder zu übertreffen.
Mit dem Ziel, mehr Dienstleistungen anzubieten und noch schneller auf Ihre Anforderungen zu reagieren, unterhalten wir einen großen Bestand an Cz-, FZ-, defektarmen, ultraflachen und ultradünnen Wafern.
SILICON WAFER SPEZIFIKATION
Wir fertigen Ihre eigenen Siliziumwafer von 1 Zoll bis 6 Zoll nach Ihren individuellen technischen Spezifikationen. Wir antworten auf die komplexesten Anfragen, indem wir kundenspezifische Wafer herstellen, wobei wir jeden Bedarf respektieren: Durchmesser, Typ & Dotierstoff, Widerstand, Orientierung, Dicke, usw…
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SILICON OXIDE WAFER sIo2 thin film
Sil’tronix Silicon Technologies bietet thermisch trockene SiO2-Schichten von 15 nm bis zu 300 nm, die vollständig intern hergestellt werden. Größere Schichtdicken sind auf Anfrage ebenfalls erhältlich. Die gelieferte Qualität ermöglicht die Verwendung der dünnen Schicht für Graphenzwecke.
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SILICON nitride wafer si3n4 thin film
Sil’tronix ST liefert Siliziumnitridschichten von 100 nm bis zu 500 nm, auf beliebigen Wafern. LPCVD oder Low stress (Ultra-low stress) Prozesse werden je nach individueller Spezifikation eingesetzt.
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DÜNNSCHICHTABSCHICHTUNG UND METALLIZIERUNG AUF SILIZIUM-WAFER
Oxidation, Nitridierung und Metallbeschichtung sind auf demselben Silizium-Wafer möglich. Verschiedene zusätzliche Schichten sind auf Anfrage für eine oder zwei Seiten erhältlich. Wir sind in der Lage, verschiedene Schichten auf verschiedenen Seiten desselben Wafers aufzubringen.
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DOWNSIZING – EDGE GRINDING
Aufgrund der großen Bandbreite an Themen bieten wir Ihnen den Service, Ihre eigenen Wafer (Silizium, SOI, …) zu verkleinern, um Ihren Anforderungen gerecht zu werden und die gewünschte Größe zu liefern, damit Sie innerhalb Ihrer Themen erfolgreich sind. Unabhängig von der Form sind wir in der Lage, jede Art von Form zu liefern.
Mit dem Ziel, die gleiche Qualität wie bei einem neuen Wafer zu liefern, folgen wir einem strengen Prozess:
- Downsizing durch Laserschneiden (d.h.: 6″ -> 3×2″)
- Rund-, Flach-, Kantenschleifen
- Spezifisches Kantenprofil: Schneiden im 45°-Winkel
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