Depuis plus de 40 ans, Sil’tronix Silicon Technologies a pour objectif de fabriquer des plaquettes de silicium monocristallin. Nous gérons l’ensemble du processus de fabrication par la réalisation de la production entièrement au sein de notre propre usine. La fabrication est entièrement réalisée en interne depuis le processus de tirage pour obtenir le lingot jusqu’à l’étape finale qui est le processus de nettoyage. Ce flux de production permet de maintenir une cohérence fiable et qualitative.
La principale source de motivation de l’entreprise est de fournir les plaquettes de silicium les plus adaptées concernant la demande du client. C’est la raison pour laquelle nous fabriquons les produits à la demande concernant les spécifications individuelles (taille, coupe, résistivité précise… ).
Nous produisons tous les diamètres de 1 » (25,4 mm) à 6 » (152,4 mm) afin de fournir la plus grande flexibilité possible. Dans le but de fournir la plus grande gamme de spécifications, nous travaillons des plaquettes de silicium Cz (Czochralski) ou FZ (Float Zone). En outre, afin de fabriquer des produits qualitatifs, nous utilisons du silicium pur (9N) comme matière première.
Le processus de polissage est également réalisé en interne afin de respecter ou de dépasser les normes SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International).
Dans le but de fournir plus de services et de répondre à vos exigences encore plus rapidement, nous maintenons un large inventaire de plaquettes Cz, FZ, à faible défaut, ultra-plates et ultra-minces.
SILICON WAFER SPECIFICATION
Nous fabriquons vos propres plaquettes de silicium de 1 pouce à 6 pouces en respectant vos spécifications techniques individuelles. Nous répondons aux demandes les plus complexes en fabriquant des plaquettes personnalisées tout en respectant chaque besoin ainsi que : diamètre, type &de dopant, résistivité, orientation, épaisseur, etc…
En savoir plus sur les spécifications des plaquettes de silicium
Couche mince d’OXYDE DE SILICONE sIo2
Sil’tronix Silicon Technologies fournit des couches sèches thermiques de SiO2 de 15 nm jusqu’à 300 nm totalement réalisées en interne. Des épaisseurs supérieures sont également disponibles sur demande. La qualité fournie permet d’utiliser la couche mince à des fins de graphène.
En savoir plus sur les spécifications des couches minces de SiO2
Couche mince de nitrure de silicium si3n4
Sil’tronix ST fournit des couches de nitrure de silicium de 100 nm jusqu’à 500 nm, sur le dessus de n’importe quels wafers. Les procédés LPCVD ou Low stress (Ultra-low stress) sont utilisés en fonction des spécifications individuelles.
Lire plus sur les spécifications du nitrure de silicium
Dépôt de couches minces et métallisation sur wafers de silicium
L’oxydation, la nitruration et le revêtement métallique sont disponibles sur le même wafers de silicium. Différentes couches supplémentaires sont disponibles sur demande pour une ou deux faces. Nous avons les capacités d’ajouter différentes couches sur différentes faces d’une même tranche de silicium.
Lire plus sur les spécifications des couches supplémentaires
DOWNSIZING – EDGE GRINDING
En raison d’un large éventail de sujets, nous fournissons le service de downsizing de vos propres tranches (silicium, SOI, …) afin de correspondre à vos besoins et de fournir la taille demandée pour réussir dans vos sujets. Quelle que soit la forme, nous sommes en mesure de fournir tout type de formes.
Dans le but de fournir le même niveau de qualité qu’une nouvelle plaquette, nous suivons un processus strict:
- Downsizing par découpe laser (ie : 6″ -> 3×2″)
- Rond, plat, rectification des bords
- Profil de bord spécifique : découpe d’un angle de 45°
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