A Sil’tronix Silicon Technologies több mint 40 éve foglalkozik monokristályos szilícium ostya gyártásával. A teljes gyártási folyamatot a teljes termelés megvalósításával saját gyárunkon belül irányítjuk. A gyártás teljesen házon belül történik a húzási folyamattól kezdve az ingot megszerzéséig, egészen a végső lépésig, amely a tisztítási folyamat. Ez a gyártási folyamat lehetővé teszi a megbízható és minőségi konzisztencia fenntartását.
A vállalat fő motivációs forrása az, hogy az ügyfél igényeihez képest a legmegfelelőbb szilícium ostyákat biztosítsuk. Ez az oka annak, hogy igény szerint gyártjuk a termékeket az egyedi specifikációnak megfelelően (méret, levágás, pontos ellenállás… ).
A lehető legnagyobb rugalmasság érdekében 1” (25,4 mm) és 6” (152,4 mm) között bármilyen átmérőt gyártunk. A lehető legnagyobb specifikációs tartomány biztosítása érdekében Cz (Czochralski) vagy FZ (Float Zone) szilícium ostyákat dolgozunk. Továbbá a minőségi termékek előállítása érdekében tiszta szilícium (9N) alapanyagot használunk.
A polírozási folyamatot is házon belül végezzük, hogy megfeleljen vagy meghaladja a Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI) szabványokat.
Azzal a céllal, hogy még több szolgáltatást nyújtsunk és még gyorsabban válaszoljunk az Ön igényeire, nagy készletet tartunk fenn Cz, FZ, alacsony hibájú, ultralapos és ultravékony ostyákból.
SILICON WAFER SPECIFICATION
Az Ön egyedi műszaki specifikációja szerint 1 hüvelyktől 6 hüvelykig saját szilícium ostyákat gyártunk. A legösszetettebb kérésekre is válaszolunk az egyedi ostyák gyártásával, miközben tiszteletben tartjuk az egyes igényeket, valamint: átmérő, típus & adalékanyag, ellenállás, orientáció, vastagság, stb…
Bővebben a szilícium ostya specifikációkról
SILICON OXIDE WAFER sIo2 vékonyréteg
A Sil’tronix Silicon Technologies termikus száraz SiO2 rétegeket biztosít 15 nm-től egészen 300 nm-ig, teljesen saját gyártásban. Kérésre nagyobb vastagságok is rendelkezésre állnak. A biztosított minőség lehetővé teszi a vékony réteg grafén célú felhasználását.
Bővebben a SiO2 vékonyréteg specifikációiról
SILICON nitrid ostya si3n4 vékonyréteg
A Sil’tronix ST szilícium-nitrid rétegeket biztosít 100 nm-től 500 nm-ig, bármilyen ostya tetején. LPCVD vagy Low stress (Ultra-low stress) eljárásokat alkalmazunk az egyedi specifikációtól függően.
Bővebben a szilícium-nitrid specifikációkról
Vékonyréteg-leválasztás és fémbevonat szilícium ostyára
Oxidálás, nitridálás és fémbevonat ugyanarra a szilícium ostyára. Különböző kiegészítő rétegek kérésre rendelkezésre állnak egy vagy két oldalra. Lehetőségeink vannak különböző rétegek hozzáadására ugyanazon ostya különböző oldalain.
Bővebben a kiegészítő rétegek specifikációiról
LENYÍLÁS – SZÉLCSiszolás
A témák széles skálájából adódóan szolgáltatást nyújtunk az Ön saját ostyáinak (szilícium, SOI, …) leméretezésére, hogy megfeleljen az Ön igényeinek, és a kért méretet szállítsuk, hogy sikerüljön az Ön témáin belül. A formától függetlenül képesek vagyunk bármilyen formát biztosítani.
Azzal a céllal, hogy ugyanazt a minőségi szintet biztosítsuk, mint egy új ostya, szigorú folyamatot követünk:
- Lézervágással történő kicsinyítés (pl.: 6″-> 3×2″)
- Kör, lapos, élcsiszolás
- Specifikus élprofil: 45°-os szögben történő vágás
Bővebben a kicsinyítésről
.