Per più di 40 anni, Sil’tronix Silicon Technologies mira a produrre wafer di silicio monocristallino. Gestiamo l’intero processo di fabbricazione con la realizzazione della produzione interamente all’interno della nostra fabbrica. La fabbricazione è totalmente fatta internamente dal processo di estrazione per ottenere il lingotto fino alla fase finale che è il processo di pulizia. Questo flusso di produzione permette di mantenere una consistenza affidabile e qualitativa.
La principale fonte di motivazione per l’azienda è quella di fornire i wafer di silicio più adatti rispetto al requisito del cliente. È il motivo per cui produciamo i prodotti su richiesta in base alle specifiche individuali (dimensioni, taglio, resistività accurata…).
Produciamo qualsiasi diametro da 1” (25,4 mm) a 6” (152,4 mm) al fine di fornire la massima flessibilità possibile. Con l’obiettivo di fornire la più ampia gamma di specifiche, lavoriamo wafer di silicio Cz (Czochralski) o FZ (Float Zone). Inoltre, al fine di realizzare prodotti di qualità, viene utilizzata materia prima di silicio puro (9N).
Anche il processo di lucidatura viene effettuato internamente al fine di soddisfare o superare gli standard Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI).
Con l’obiettivo di fornire più servizi e rispondere alle vostre esigenze ancora più rapidamente, manteniamo un ampio inventario di wafer Cz, FZ, a basso difetto, ultrapiatti e ultra-sottili.
SPECIFICA WAFER SILICON
Produciamo i vostri wafer di silicio da 1 pollice a 6 pollici secondo le vostre specifiche tecniche individuali. Rispondiamo alle richieste più complesse producendo wafer personalizzati rispettando ogni esigenza come: diametro, tipo & drogante, resistività, orientamento, spessore, ecc…
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Film sottile di silicio ossido sIo2
Sil’tronix Silicon Technologies fornisce strati di SiO2 secco termico da 15 nm fino a 300 nm totalmente realizzati internamente. Spessori maggiori sono anche disponibili su richiesta. La qualità fornita permette di utilizzare lo strato sottile per il grafene.
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Film sottile di nitruro di silicio si3n4
Sil’tronix ST fornisce strati di nitruro di silicio da 100 nm fino a 500 nm, sopra qualsiasi wafer. I processi LPCVD o Low stress (Ultra-low stress) sono utilizzati a seconda delle specifiche individuali.
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Deposizione di film sottile e metallizzazione su wafer di silicio
Ossidazione, nitrurazione e rivestimento metallico sono disponibili sullo stesso wafer di silicio. Diversi strati aggiuntivi sono disponibili su richiesta per uno o due lati. Abbiamo la capacità di aggiungere diversi strati su diversi lati di uno stesso wafer.
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DOWNSIZING – EDGE GRINDING
A causa di una vasta gamma di argomenti, forniamo il servizio di downisize dei vostri wafer (silicio, SOI, …) per soddisfare le vostre esigenze e fornire la dimensione richiesta per riuscire all’interno dei vostri argomenti. Indipendentemente dalla forma, siamo in grado di fornire qualsiasi tipo di forme.
Con l’obiettivo di fornire lo stesso livello di qualità di un wafer nuovo, seguiamo un processo rigoroso:
- Downsizing tramite taglio laser (es: 6″ -> 3×2″)
- Rotonda, piatta, rettifica dei bordi
- Profilo del bordo specifico: taglio angolo 45°
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