Sil’tronix Silicon Technologiesは40年以上にわたり、単結晶シリコンウェハーの製造を目指しています。 自社工場での一貫生産を実現し、全製造工程を管理しています。 インゴットを引き上げる工程から、最終工程である洗浄工程まで、すべて自社で製造しています。
当社のモチベーションの源泉は、お客様のご要望に応じた最適なシリコンウエハーを提供することです。
可能な限り柔軟性を提供するために、1インチ（25.4mm）から6インチ（152.4mm）までのあらゆる直径の製品を製造しています。 最大の仕様範囲を提供する目的で、当社はCz（Czochralski）またはFZ（Float Zone）シリコンウェハーを使用しています。 さらに、高品質な製品を製造するために、純粋なシリコン（9N）原料を使用しています。
研磨工程も、SEMI（Semiconductor Equipment and Materials International）規格を満たすか超えないように、社内で行われています。
より多くのサービスを提供し、より迅速にお客様の要求に応えるために、当社はCz、FZ、低欠陥、超平坦、超薄型のウェハーの在庫を多数保有しています。
SILICON WAFER SPECIFICATION
当社はお客様の個別の技術仕様に合わせて1インチから6インチまでの独自のシリコンウェーハを製造しています。
シリコンウェハーの仕様について
SILICON OXIDE WAFER sIo2 thin film
Sil’tronix Silicon Technologiesは15nmから300nmの熱乾燥SiO2層を提供し、完全に内製しています。 ご要望に応じてそれ以上の厚みも可能です。
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SILICON nitride wafer si3n4 thin film
Sil’tronix STは、あらゆるウェーハの上に100 nmから500 nmの窒化ケイ素膜を提供します。
窒化ケイ素の仕様について
シリコンウェーハへの薄膜堆積および金属化
同一のシリコンウェーハ上に酸化、窒化および金属コーティングが可能です。 また、ご要望に応じて、片面または両面に異なる層を追加することも可能です。
追加レイヤーの仕様について
DOWNSIZING – EDGE GRINDING
様々なテーマで、お客様のニーズに合わせ、お客様のテーマ内で成功するために必要なサイズのウェハー（シリコン、SOIなど）をダウンサイジングするサービスを提供しています。
新しいウェハと同じレベルの品質を提供することを目的に、厳格なプロセスに従っています。
- レーザー切断によるダウンサイジング（例：6インチ～> 3×2 インチ）
- ラウンド、フラット、エッジ研磨
- 特定のエッジプロファイル：45°角切断
ダウンサイスに関する詳細
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