Sil’tronix Silicon Technologies is al meer dan 40 jaar gespecialiseerd in de productie van monokristallijne siliciumwafers. Wij beheren het gehele productieproces door de verwezenlijking van de volledige productie binnen onze eigen fabriek. De fabricage gebeurt volledig intern vanaf het trekproces om de ingot te verkrijgen tot de laatste stap die het reinigingsproces is. Deze productiestroom maakt het mogelijk om een betrouwbare en kwalitatieve consistentie te handhaven.
De belangrijkste bron van motivatie voor het bedrijf is het leveren van de meest geschikte silicium wafers met betrekking tot de klant eis. Dit is de reden waarom wij de producten op aanvraag produceren met betrekking tot individuele specificatie (grootte, afgesneden, nauwkeurige weerstand… ).
Wij produceren alle diameters van 1” (25,4 mm) tot 6” (152,4 mm) om de grootst mogelijke flexibiliteit te bieden. Met het doel van het verstrekken van de grootste waaier van specificatie, werken wij of Cz (Czochralski) of FZ (Float Zone) siliciumwafers. Bovendien, om kwalitatieve producten te vervaardigen, wordt zuivere silicium (9N) grondstof gebruikt.
Het polijstproces wordt ook intern gemaakt om te voldoen aan de Semiconductor Equipment and Materials International normen (SEMI) of deze te overtreffen.
Met het doel om meer diensten te verlenen en nog sneller aan uw eisen te beantwoorden, onderhouden wij een grote voorraad van Cz, FZ, lage defecten, ultra-platte en ultra-dunne wafers.
SILICON WAFER SPECIFICATIE
Wij vervaardigen uw eigen silicium wafers van 1 inch tot 6 inch volgens uw individuele technische specificatie. Wij beantwoorden aan de meest complexe verzoeken door de productie van op maat gemaakte wafers met inachtneming van elke behoefte, zoals: diameter, type & doteringsmateriaal, weerstand, oriëntatie, dikte, enz…
Lees meer over silicium wafer specificaties
SILICON OXIDE WAFER sIo2 dunne film
Sil’tronix Silicon Technologies biedt thermische droge SiO2 lagen van 15 nm tot 300 nm volledig intern gemaakt. Grotere diktes zijn ook beschikbaar op aanvraag. De geleverde kwaliteit maakt het mogelijk om de dunne laag te gebruiken voor grafeen doeleinden.
Lees meer over SiO2 dunne film specificaties
SILICON nitride wafer si3n4 dunne film
Sil’tronix ST levert silicium nitride lagen van 100 nm tot 500 nm, op de top van een wafer. LPCVD of Low stress (Ultra-low stress) processen worden gebruikt afhankelijk van de individuele specificatie.
Lees meer over siliciumnitride specificaties
THIN FILM DEPOSITIE EN METALLIZATIE OP SILICON WAFERS
Oxidatie, nitridatie en metaalcoating zijn beschikbaar op dezelfde silicium wafer. Verschillende extra lagen zijn beschikbaar op aanvraag voor één of twee zijden. Wij hebben de mogelijkheden om verschillende lagen toe te voegen aan verschillende zijden van eenzelfde wafer.
Lees meer over extra lagen specificaties
DOWNSIZING – EDGE GRINDING
Gezien een groot scala van onderwerpen, bieden wij de service om uw eigen wafers (silicium, SOI, …) downisize om aan uw behoeften te voldoen en de gevraagde grootte te leveren om te slagen binnen uw onderwerpen. Ongeacht de vorm, zijn wij in staat om alle soorten vormen te leveren.
Met het doel om hetzelfde kwaliteitsniveau te leveren als een nieuwe wafer, volgen we een strikt proces:
- Downsizing door lasersnijden (dwz: 6″ -> 3×2″)
- Rond, vlak, rand slijpen
- Specifiek randprofiel: snijden 45° hoek
Lees meer over downsizing