Od ponad 40 lat, Sil’tronix Silicon Technologies ma na celu produkcję monokrystalicznego wafla krzemowego. Zarządzamy całym procesem produkcyjnym poprzez osiągnięcie całkowitej produkcji w naszej własnej fabryce. Produkcja jest całkowicie wykonywana wewnętrznie, począwszy od procesu wyciągania wlewka, aż do ostatniego etapu, jakim jest proces czyszczenia. Ten przepływ produkcji pozwala na utrzymanie niezawodnej i jakościowej spójności.
Głównym źródłem motywacji dla firmy jest zapewnienie najbardziej odpowiednich wafli krzemowych w odniesieniu do wymagań klienta. Jest to powód, dla którego produkujemy wyroby na zamówienie pod kątem indywidualnej specyfikacji (rozmiar, odcięcie, dokładna rezystywność…).
Produkujemy dowolne średnice od 1” (25.4 mm) do 6” (152.4 mm) w celu zapewnienia jak największej elastyczności. W celu zapewnienia jak największego zakresu specyfikacji, pracujemy na waflach krzemowych typu Cz (Czochralski) lub FZ (Float Zone). Ponadto, w celu wytwarzania produktów wysokiej jakości, używany jest czysty surowiec krzemowy (9N).
Proces polerowania jest również wykonywany wewnętrznie w celu spełnienia lub przekroczenia standardów Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI).
Aby móc świadczyć więcej usług i jeszcze szybciej odpowiadać na Państwa wymagania, utrzymujemy duże zapasy magazynowe płytek krzemowych Cz, FZ, o niskiej wadliwości, ultrapłaskich i ultracienkich.
SILICON WAFER SPECIFICATION
Produkujemy własne płytki krzemowe od 1 cala do 6 cali według indywidualnej specyfikacji technicznej. Odpowiadamy na najbardziej skomplikowane żądania, produkując wafle na zamówienie, respektując każde potrzeby, takie jak: średnica, typ domieszki, rezystywność, orientacja, grubość, itp…
Czytaj więcej o specyfikacjach wafli krzemowych
SILICON OXIDE WAFER sIo2 thin film
Sil’tronix Silicon Technologies dostarcza termicznie suche warstwy SiO2 o grubości od 15 nm do 300 nm w całości wykonane wewnętrznie. Większe grubości są również dostępne na zamówienie. Dostarczana jakość pozwala na użycie cienkiej warstwy do celów grafenowych.
Czytaj więcej o specyfikacji cienkich warstw SiO2
Cienka warstwa azotku krzemu na waflu si3n4
Sil’tronix ST dostarcza warstwy azotku krzemu od 100 nm do 500 nm, na wierzchu dowolnych wafli. Procesy LPCVD lub Low stress (Ultra-low stress) są stosowane w zależności od indywidualnej specyfikacji.
Czytaj więcej o specyfikacjach azotku krzemu
Cienkowarstwowe osadzanie i metalizacja na waflach krzemowych
Oksydacja, azotowanie i powlekanie metalami są dostępne na tym samym waflu krzemowym. Różne dodatkowe warstwy są dostępne na życzenie dla jednej lub dwóch stron. Mamy możliwość dodania różnych warstw na różnych stronach tego samego wafla.
Czytaj więcej o dodatkowych warstwach
DOWNSIZING – EDGE GRINDING
Dzięki szerokiemu zakresowi tematycznemu, świadczymy usługi downisizingu Państwa własnych wafli (krzemowych, SOI, …) w celu dopasowania się do Państwa potrzeb i dostarczenia żądanego rozmiaru, aby odnieść sukces w ramach Państwa tematów. Niezależnie od kształtu, jesteśmy w stanie zapewnić każdy rodzaj formy.
W celu zapewnienia takiego samego poziomu jakości jak w przypadku nowego wafla, stosujemy ścisły proces:
- Downsizing poprzez cięcie laserowe (np.: 6″ -> 3×2″)
- Szlifowanie na okrągło, płasko, krawędzi
- Specyficzny profil krawędzi: cięcie pod kątem 45°
Read More about downsizing
.