I mer än 40 år har Sil’tronix Silicon Technologies syftat till att tillverka monokristallina kiselskivor. Vi hanterar hela tillverkningsprocessen genom att uppnå den helt och hållet produktion inom vår egen fabrik. Tillverkningen sker helt och hållet internt från dragningsprocessen för att få fram göt till det sista steget som är rengöringsprocessen. Detta produktionsflöde gör det möjligt att upprätthålla en tillförlitlig och kvalitativ konsistens.
Den viktigaste motivationskällan för företaget är att tillhandahålla de mest lämpliga kiselskivorna när det gäller kundernas krav. Det är anledningen till att vi tillverkar produkterna på begäran med hänsyn till individuella specifikationer (storlek, avklippning, exakt resistivitet… ).
Vi tillverkar alla diametrar från 1” (25,4 mm) till 6” (152,4 mm) för att kunna erbjuda största möjliga flexibilitet. I syfte att tillhandahålla det största utbudet av specifikationer arbetar vi antingen Cz (Czochralski) eller FZ (Float Zone) kiselskivor. För att kunna tillverka kvalitativa produkter används dessutom rent kiselråmaterial (9N).
Poleringsprocessen görs också internt för att uppfylla eller överträffa Semiconductor Equipment and Materials International standards (SEMI).
Med målet att tillhandahålla fler tjänster och svara på dina krav ännu snabbare, upprätthåller vi ett stort lager av Cz, FZ, wafers med låga defekter, ultraplatta och ultratunna wafers.
SILICON WAFER SPECIFIKATION
Vi tillverkar dina egna kiselwafers från 1 tum till 6 tum avseende dina individuella tekniska specifikationer. Vi svarar på de mest komplexa förfrågningar genom att tillverka skräddarsydda wafers samtidigt som vi respekterar varje behov samt: diameter, typ & av dopingmedel, resistivitet, orientering, tjocklek, etc….
Läs mer om specifikationer för kiselwafer
SILICON OXIDE WAFER sIo2 thin film
Sil’tronix Silicon Technologies tillhandahåller termiskt torra SiO2-skikt från 15 nm upp till 300 nm helt tillverkade internt. Större tjocklekar är också tillgängliga på begäran. Den kvalitet som tillhandahålls gör det möjligt att använda det tunna skiktet för grafenändamål.
Läs mer om specifikationer för SiO2-tunnfilm
SILICON nitridwafer si3n4 tunnfilm
Sil’tronix ST tillhandahåller kiselnitridskikt från 100 nm upp till 500 nm, ovanpå alla wafers. LPCVD eller processer med låg stress (ultralåg stress) används beroende på den enskilda specifikationen.
Läs mer om specifikationer för kiselnitrid
Tunnfilmsdeponering och metallisering på kiselskivor
Oxidering, nitrering och metallbeläggning är tillgängliga på samma kiselskiva. Olika tilläggsskikt är tillgängliga på begäran för en eller två sidor. Vi har kapacitet att lägga till olika lager på olika sidor av samma wafer.
Läs mer om specifikationer för ytterligare lager
DOWNSIZING – EDGE GRINDING
På grund av ett stort antal ämnen erbjuder vi tjänsten att downisize dina egna wafers (kisel, SOI, …) för att matcha dina behov och leverera den storlek som krävs för att lyckas inom dina ämnen. Oavsett form kan vi tillhandahålla alla typer av former.
Med målet att tillhandahålla samma kvalitetsnivå som en ny wafer följer vi en strikt process:
- Downsizing genom laserskärning (t.ex.: 6″ -> 3×2″)
- Rund, platt, kantslipning
- Specifik kantprofil: skärning av 45° vinkel
Läs mer om downsizing
.