Há mais de 40 anos que a Sil’tronix Silicon Technologies pretende fabricar pastilhas de silício monocristalinas. Gerimos todo o processo de fabrico através da realização da produção integral dentro da nossa própria fábrica. A fabricação é totalmente feita internamente desde o processo de puxar para chegar ao lingote até a etapa final que é o processo de limpeza. Este fluxo de produção permite manter uma consistência confiável e qualitativa.
A principal fonte de motivação para a empresa é fornecer as pastilhas de silício mais adequadas em relação às exigências do cliente. É a razão pela qual fabricamos os produtos sob encomenda em relação à especificação individual (tamanho, corte, resistividade precisa… ).
Produzimos qualquer diâmetro de 1” (25,4 mm) a 6” (152,4 mm) de forma a proporcionar a maior flexibilidade possível. Com o objectivo de fornecer a maior gama de especificações, trabalhamos as pastilhas de silício Cz (Czochralski) ou FZ (Float Zone). Além disso, para fabricar produtos de qualidade, é utilizada matéria-prima silício puro (9N).
O processo de polimento também é feito internamente para atender ou exceder as normas Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI).
Com o objetivo de fornecer mais serviços e responder às suas necessidades ainda mais rapidamente, mantemos um grande estoque de pastilhas Cz, FZ, baixo defeito, ultra-planas e ultra-finas.
SILICON WAFER SPECIFICATION
Fabricamos suas próprias pastilhas de silício de 1 polegada a 6 polegadas em relação à sua especificação técnica individual. Respondemos aos pedidos mais complexos fabricando pastilhas personalizadas respeitando cada necessidade, assim como: diâmetro, tipo & dopante, resistividade, orientação, espessura, etc…
Leia mais sobre as especificações das pastilhas de silício
Película fina de SILICON OXIDE WAFER sIo2
Tecnologias de silício Silicon proporciona camadas de SiO2 termicamente secas de 15 nm até 300 nm totalmente feitas internamente. Espessuras maiores também estão disponíveis sob consulta. A qualidade fornecida permite a utilização da camada fina para fins de grafeno.
Leia mais sobre as especificações da película fina de SiO2
Película fina de Si3n4 de nitreto de silício
Sil’tronix ST fornece camadas de nitreto de silício de 100 nm até 500 nm, em cima de qualquer bolacha. LPCVD ou processos de Baixa tensão (Ultra-low stress) são utilizados dependendo da especificação individual.
Leia mais sobre especificações de nitreto de silício
THIN FILM DEPOSITION AND METALLIZATION ON SILICON WAFERS
Oxidação, nitidação e revestimento metálico estão disponíveis na mesma pastilha de silício. Diferentes camadas adicionais estão disponíveis sob pedido para um ou dois lados. Temos a capacidade de adicionar diferentes camadas em diferentes lados de uma mesma bolacha.
Ler mais sobre as especificações de camadas adicionais
DOWNSIZING – EDGE GRINDING
Due a uma grande variedade de tópicos, nós fornecemos o serviço para downisize suas próprias bolachas (silício, SOI, …) a fim de corresponder às suas necessidades e fornecer o tamanho solicitado para ter sucesso dentro de seus tópicos. Independentemente da forma, somos capazes de fornecer qualquer tipo de formulário.
Com o objectivo de fornecer o mesmo nível de qualidade de uma nova bolacha, seguimos um processo rigoroso:
- Downsizing by laser cutting (ie: 6″ -> 3×2″)
- Retificação de rebarbas, planas e de cantos
- Perfil de rebarbas específico: cortar ângulo de 45°
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